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膜厚測量

多重非破壞性測量,包括掩埋的膜
樣品無需特別校準鑒定.
快速執行,100%樣品控制.

特點
  • 快速非破壞測量從100 nm 到 150 µm 膜厚(根據膜/基板的性質).
  • 可升級到全部Axiospect檢測系統中或單獨的Axiotron系統中.
  • 應用於半導體器件: resist, 氧化物, 矽層氮化物, 金屬, III-V 金屬 如GaAs等.
  • MEMS應用: 矽膜測量, buried air cavern 量測等.
  • 有模擬量測及覆蓋分析的選項.
  • 所需資料可以很容易的從物理手冊或製造商資料表中找到 (e.g. 柯西係數)
  • 手動操作模式及含掃描能力的全自動模式 (檢查和複檢的點檢測功能)
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